Кондуктометр Многофункциональный тестер транзисторов LCR-P1 для определения емкости и сопротивления МОП-полевых транзисторов с электронным компонентом
Цена на 10.04.2026


Источник изображений товара: Промэлектроника. Внешний вид товара может отличаться от изображённого
Реклама. ООО "ЯНДЕКС МАРКЕТ", ИНН: 9704254424. Правообладатель изображений: Яндекс.Маркет.
Транзистор полевой MOSFET SIC N-канальный IMBG65R260M1HXTMA1 предназначен для использования в высоковольтных приложениях. С максимальным напряжением 650 В и током 6 А, он обеспечивает надежную работу и высокую производительность. Благодаря своей мощности в 65 Вт транзистор идеально подходит для различных схем управления и преобразования энергии. Технология SIC (карбид кремния) гарантирует высокую эффективность и долговечность устройства, что делает его отличным выбором для современных электронных решений. Такой транзистор широко используется в автомобилестроении, промышленной электронике и других сферах, где нужны высокие параметры надежности и защиты.
Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.
Высокая надежность и долговечность, хороший выбор для высоковольтных приложений, высокая эффективность.
Может быть более дорогим по сравнению с обычными транзисторами, требует осторожной установки.
Максимальное напряжение у транзистора IMBG65R260M1HXTMA1 составляет 650 В.
Этот транзистор рекомендуется для высоковольтных приложений, включая автомобильную и промышленную электронику.
Мощность транзистора IMBG65R260M1HXTMA1 составляет 65 Вт.
Транзистор упакован в формате Tape and Reel, что удобно для автоматизированной сборки.
Корпус транзистора IMBG65R260M1HXTMA1 - TO-263-7.
Направьте заявку на почту b2b@poisk.im. Мы сами найдём необходимые товары, узнаем, где их купить, и попросим проверенных продавцов связаться с вами и направить коммерческие предложения.