Кондуктометр Многофункциональный тестер транзисторов LCR-P1 для определения емкости и сопротивления МОП-полевых транзисторов с электронным компонентом
1 828 ₽
Цена на 29.05.2026
Яндекс.МаркетТранзистор полевой MOSFET SIC N-канальный 650В 6А 65Вт
Источник изображений товара: Промэлектроника. Внешний вид товара может отличаться от изображённого
4░░░ ₽
История цены
- Бренд:
- Производитель:
- Модель:
Источник изображений товара:Промэлектроника
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Цена на 02.06.2026
4░░░ ₽
История цены
Яндекс.МаркетРеклама. ООО "ЯНДЕКС МАРКЕТ", ИНН: 9704254424. Правообладатель изображений: Яндекс.Маркет.
Транзистор полевой MOSFET SIC N-канальный IMBG65R260M1HXTMA1 предназначен для использования в высоковольтных приложениях. С максимальным напряжением 650 В и током 6 А, он обеспечивает надежную работу и высокую производительность. Благодаря своей мощности в 65 Вт транзистор идеально подходит для различных схем управления и преобразования энергии. Технология SIC (карбид кремния) гарантирует высокую эффективность и долговечность устройства, что делает его отличным выбором для современных электронных решений. Такой транзистор широко используется в автомобилестроении, промышленной электронике и других сферах, где нужны высокие параметры надежности и защиты.
Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.
- Артикул магазина
- 567953
- Наименование
- IMBG65R260M1HXTMA1
- Производитель
- Infineon Technologies
- Тип упаковки
- Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка
- 1000 шт
- Корпус
- TO-263-7
- Напряжение
- 650В
- MOSFET
- Полевой транзистор с металло-оксидной полупроводниковой структурой
- SIC
- Карбид кремния, используемый для создания высокоэффективных компонентов
Высокая надежность и долговечность, хороший выбор для высоковольтных приложений, высокая эффективность.
Может быть более дорогим по сравнению с обычными транзисторами, требует осторожной установки.
Максимальное напряжение у транзистора IMBG65R260M1HXTMA1 составляет 650 В.
Этот транзистор рекомендуется для высоковольтных приложений, включая автомобильную и промышленную электронику.
Мощность транзистора IMBG65R260M1HXTMA1 составляет 65 Вт.
Транзистор упакован в формате Tape and Reel, что удобно для автоматизированной сборки.
Корпус транзистора IMBG65R260M1HXTMA1 - TO-263-7.