SI2312BDS-T1-E3

Источник изображений товара: Промэлектроника. Внешний вид товара может отличаться от изображённого

2░░░ ₽

Цена на 29.05.2026

История цены

Источник изображений товара:Промэлектроника

Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика

Цена на 29.05.2026

2░░░ ₽

История цены

SI2312BDS-T1-GE3

15.15 ₽

Промэлектроника

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.9A

Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.

Артикул магазина: 232197
Наименование: SI2312BDS-T1-E3
Производитель: Vishay
Описание Eng: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка: 3000 шт
Корпус: SOT-23
Напряжение сток-исток макс.: 20В
Ток стока макс.: 3.9A
Сопротивление открытого канала: 31 мОм
Мощность макс.: 750мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 850mВ
Заряд затвора: 12нКл
Тип монтажа: Surface Mount
Вес брутто: 0.04 г.

Планируете оптовую закупку?

Направьте заявку на почту b2b@poisk.im. Мы сами найдём необходимые товары, узнаем, где их купить, и попросим проверенных продавцов связаться с вами и направить коммерческие предложения.