Poisk.imПоиск по интернет-магазинам

Полевой MOSFET N-канальный STD10NF10T4 100V 13A DPAK

Артикул магазина:
240535
Артикул магазина:
240535
119.16
Цена на 31.10.2025
Бренд:
Производитель:
Модель:
Источник изображений товара:Промэлектроника
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Цена на 31.10.2025
119.16

STD10NF10T4 - это мощный полевой MOSFET N-канального типа, предназначенный для применения в электронных устройствах и схемах, требующих высокого напряжения и тока. Этот транзистор способен работать при максимальном напряжении сток-исток до 100В и токе до 13А, что делает его универсальным компонентом для различных радиоэлектронных проектов и промышленных решений. Благодаря корпусу DPAK и типу монтажа Surface Mount, продукт легко интегрируется в современные печатные платы, обеспечивая надежную работу и минимальный уровень инерции. Преимущества этого MOSFET включают минимальное сопротивление открытого канала 130 мОм, высокую максимальную мощность 50Вт и удобно конфигурируемое заряд затвора 21 нКл. Описание Eng указывает на схожие характеристики, подтверждая высокое качество выполнения и соответствие стандартам ведущих производителей. Транзистор упакован в ленту (Tape and Reel), что дает автоматизированную установку и удобство в массовом производстве. STD10NF10T4 идеально подходит для силовых преобразователей, регуляторов и драйверов в современных электронных системах.

НаименованиеSTD10NF10T4
ПроизводительST Microelectronics
ОписаниеMOSFET N-CH 100V 13A DPAK
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка2500 шт
КорпусDPAK
Напряжение сток-исток макс100В
Ток стока макс13A
Сопротивление открытого канала130 мОм
Мощность макс50Вт
Тип транзистораN-канал
Пороговое напряжение включения макс
Заряд затвора21 нКл
Входная емкость460 пФ
Тип монтажаSurface Mount
Вес брутто0.53 г
БрендST Microelectronics
MOSFETМетал-оксидный полевой транзистор
Корпус DPAKТип корпуса для поверхностного монтажа с высокой теплоотводной способностью
Заряд затвораЭлектрическая емкость для включения транзистора
Пороговое напряжение включенияНапряжение, необходимое для открытия транзистора

Высокие показатели напряжения и тока, компактный корпус DPAK, надежность и долговечность

Мощное устройство требует правильного heatsink для предотвращения перегрева, цена может быть выше электромонтажных аналогов