Мощный полевой транзистор MOSFET N-канальный 600V 6.26A TO-220F FQPF8N60CFT

100.52
Цена на 13.02.2026
Бренд:
Производитель:
Модель:
Источник изображений товара:Промэлектроника
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Цена на 13.02.2026
100.52

Полевой транзистор MOSFET N-канального типа модели FQPF8N60CFT от производителя ON Semiconductor предназначен для использования в электронных схемах с высоким напряжением и током. Этот транзистор обладает напряжением сток-истокмакс. 600В и током стока максимум 6.26А, что делает его надежным компонентом для мощных и энергозависимых устройств. Корпус TO-220F обеспечивает удобство монтажа и теплоотвод, а тип упаковки в виде тубы обеспечивает быструю и удобную доставку партии из 50 штук. Отличительной особенностью является низкое сопротивление открытого канала 1.5 Ом и высокая мощность 48Вт, что позволяет использовать этот транзистор в схемах с высокими требованиями к мощности. Пороговое напряжение включения до 4В и заряд затвора 36 нКл делают его удобным в управлении. Этот MOSFET подходит для применения в источниках питания, усилителях и автоматике, где важна надежность и эффективность работы. Благодаря своим техническим характеристикам, он обеспечивает стабильную работу и долгий срок службы вашего оборудования.

Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.
Артикул магазина
198672
Наименование
FQPF8N60CFT
Производитель
ON Semiconductor
Описание Eng
MOSFET N-CH 600V 6.26A TO-220F
Тип упаковки
Tube (туба)
Нормоупаковка
50 шт
Корпус
TO-220F
MOSFET
Полевой транзистор с металлическим оксидом и полупроводниковой областью
N-канал
Тип транзистора, где ток управляется через отрицательное напряжение на затворе
Корпус TO-220F
Тип корпуса для монтажа и теплоотвода
Заряд затвора
Количество электрического заряда, необходимое для включения транзистора
Высокое напряжение и токи, надежность, удобство монтажа, оптимальное соотношение цена и качество
Может потребовать радиатора для эффективного охлаждения при высокой нагрузке
Этот MOSFET идеально подходит для источников питания, усилителей и автоматических схем, требующих высокой надежности и мощности.
При умеренных нагрузках его можно использовать без радиатора, однако при высоких токах рекомендуется обеспечить дополнительное охлаждение для предотвращения перегрева.
Пороговое напряжение — это минимальное напряжение на затворе для включения транзистора, а заряд затвора — количество электрического заряда, необходимое для его переключения.

Планируете оптовую закупку?

Направьте заявку на почту b2b@poisk.im. Мы сами найдём необходимые товары, узнаем, где их купить, и попросим проверенных продавцов связаться с вами и направить коммерческие предложения.