MOSFET IRFR1018ETRPBF мощный N-канальный транзистор 60V 79A DPAK

7░░░
Цена на 21.05.2026
История цены
Бренд:
Производитель:
Модель:
Источник изображений товара:Промэлектроника
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Цена на 21.05.2026
7░░░
История цены

MOSFET IRFR1018ETRPBF от Infineon Technologies представляет собой мощный N-канальный транзистор, предназначенный для использования в силовой электронике и схемах управления. Благодаря высокой максимальной мощности рассеяния 110 Вт и току стока до 79 А, этот транзистор обеспечивает надежную работу в условиях высокой нагрузки. Его корпус DPAK позволяет легко монтировать устройство на плату посредством поверхностного монтажа, что способствует компактности и удобству сборки. Особенности модели включают низкое сопротивление открытого канала 8,4 мОм при 47 А, а также широкий диапазон рабочих температур от -55 °C до +175 °C. Транзистор обладает стандартными характеристиками по заряд затвора и времени задержки включения/выключения, что делает его универсальным компонентом для различных устройств и схем. Высокое напряжение сток-исток 60 В обеспечивает безопасность и долговечность работы даже в сложных условиях эксплуатации. Этот MOSFET идеально подойдет для силовых преобразователей, вентиляторов, драйверов электродвигателей и других промышленных решений. Обладает хорошей теплоотводимостью и надежностью, что обеспечивает долгие сроки эксплуатации и стабильную работу всей электронных схем. При выборе данного компонента важно учитывать его технические параметры и соответствие целевому применению, чтобы реализовать эффективное и надежное решение.

Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.
Артикул магазина
420686
Наименование
IRFR1018ETRPBF
Производитель
Infineon Technologies
Описание Eng
MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка
2000 шт
Корпус
DPAK/TO-252AA
MOSFET
Полевой транзистор с металлооксидным затвором
Н-канальный
Тип транзистора, где ток управляется положительным напряжением затвора
Корпус DPAK
Тип корпуса для поверхностного монтажа, обеспечивающий хорошее теплоотведение
Заряд затвора
Объем электрического заряда, необходимый для включения транзистора
Пороговое напряжение
Минимальное напряжение для включения транзистора
Высокая мощность и токовая нагрузка, надежность, компактность и простота монтажа.
Высокая цена по сравнению с менее мощными моделями, требует точного соблюдения условий работы.
Этот MOSFET отлично подойдет для силовых преобразователей, драйверов электродвигателей, вентиляторов и других промышленных схем благодаря высокой мощности и току.
Корпус DPAK позволяет легко монтировать устройство на плату поверхностным монтажом, обеспечивая хорошее теплоотведение и компактность схемы.
Максимальный ток составляет 79 А, а напряжение сток-исток — 60 В, что обеспечивает безопасность в рабочих условиях при соблюдении технических параметров.
Он обладает низким сопротивлением открытого канала 8,4 мОм и высокой тепловой характеристикой, что делает его надежным в тяжелых условиях эксплуатации.

Планируете оптовую закупку?

Направьте заявку на почту b2b@poisk.im. Мы сами найдём необходимые товары, узнаем, где их купить, и попросим проверенных продавцов связаться с вами и направить коммерческие предложения.