POISK.IMПоиск по интернет-магазинам
Подключить магазин

MOSFET N-канал 600V 10A STP10NK60Z производства ST Microelectronics

Превью изображения товара
Превью изображения товара
Изображение товара MOSFET N-канал 600V 10A STP10NK60Z производства ST Microelectronics

Источник изображений товара: Промэлектроника. Внешний вид товара может отличаться от изображённого

70.77 ₽
Цена на 20.05.2026
Бренд:
Производитель:
Модель:
Источник изображений товара:Промэлектроника
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Цена на 20.05.2026
70.77 ₽

Реклама. ООО "ЯНДЕКС МАРКЕТ", ИНН: 9704254424. Правообладатель изображений: Яндекс.Маркет.

STP10NK60Z - это мощный N-канальный MOSFET производства ST Microelectronics, предназначенный для использования в силовых схемах и источниках питания. Благодаря высокой рабочей напряженности до 600V и току до 10А, данный транзистор отлично подходит для применения в индустриальных и бытовых электросхемах. Его особенности включают низкое сопротивление открытого канала, высокую мощность рассеяния и качественную корпусную конструкцию TO-220AB, обеспечивающую надежное охлаждение. Данное устройство отличается высокой скорости переключения, что позволяет достигать эффективной работы при минимальных потерях энергии. Благодаря компактной упаковке и возможности монтажа через отверстия, STP10NK60Z легко интегрируется в схемы любой сложности. Оптимальное решение для тех, кто ищет надежный и мощный транзистор для преобразователей, инверторов и других силовых устройств.

Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.
Артикул магазина
138474
Наименование
STP10NK60Z
Производитель
ST Microelectronics
Описание
MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Тип упаковки
Tube (туба)
Нормоупаковка
50 шт
Корпус
TO-220AB
Dv/dt
Параметр быстроты изменения напряжения на затворе
Rds on
Сопротивление канала в открытом состоянии
Пороговое напряжение включения
Напряжение, при котором транзистор начинает проводить
Заряд затвора
Количество электрического заряда, необходимого для открытия транзистора
Высокий уровень характеристики dv/dt, надежность, высокая мощность рассеяния, компактность и удобство монтажа
Может быть дорогим для мелкосерийного производства, требует правильного охлаждения для продолжительной работы
Этот MOSFET идеально подходит для силовых преобразователей, инверторов, источников питания и других высоковольтных схем, требующих надежного переключения и высокой мощности.
Рекомендуется использовать радиатор или систему охлаждения, соответствующую рассеиваемой мощности до 115Вт, чтобы обеспечить стабильную работу и предотвратить перегрев.
На корпусе TO-220AB обозначены выводы: сток, затвор и исток. Следуйте схеме монтажа и убедитесь в правильной полярности для предотвращения повреждений.
Да, однако его характеристики рассчитаны на высокое напряжение до 600V, поэтому в низковольтных схемах его параметры могут быть избыточными и неэффективными.

Планируете оптовую закупку?

Направьте заявку на почту b2b@poisk.im. Мы сами найдём необходимые товары, узнаем, где их купить, и попросим проверенных продавцов связаться с вами и направить коммерческие предложения.