Биполярное расстройство: гид по выживанию для тех, кто часто не видит белой полосы Пушкина М, Касьянов Е. Д.
1 092 ₽
Цена на 23.04.2026
Яндекс.МаркетБиполярный транзистор IGBT 1600В 30А IHW30N160R2FKSA1
Источник изображений товара: Промэлектроника. Внешний вид товара может отличаться от изображённого
1 018.11 ₽
- Бренд:
- Производитель:
- Модель:
Источник изображений товара:Промэлектроника
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Цена на 27.04.2026
1 018.11 ₽
Яндекс.МаркетРеклама. ООО "ЯНДЕКС МАРКЕТ", ИНН: 9704254424. Правообладатель изображений: Яндекс.Маркет.
Биполярный транзистор IGBT IHW30N160R2FKSA1 предназначен для различных силовых приложений. Он обладает максимальным напряжением коллектор-эмиттер 1600 В и максимальным током коллектора 30 А, что делает его подходящим для высоковольтных схем. Рассеиванная мощность достигает 310 Вт, что обеспечивает надежную работу в условиях высокой нагрузки. Благодаря тубусной упаковке и нормоупаковке 30 штук, этот транзистор удобен для использования в массовом производстве. Приобретая данный продукт, вы получаете высококачественный компонент от известного производителя Infineon Technologies, который отлично подходит для применения в индустриальной электронике и электротехнике.
Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.
- Артикул магазина
- 142330
- Наименование
- IHW30N160R2FKSA1
- Тип упаковки
- Tube (туба)
- Нормоупаковка
- 30 шт
- Корпус
- TO-247
- Макс. напр. коллектор-эмиттер
- 1600V
- Макс. ток коллектора
- 30A
- IGBT
- Биполярный транзистор с изолированным затвором, используемый для управления большими токами и напряжениями.
- Коллектор
- Электрод, через который поступает ток от источника питания.
- Эмиттер
- Электрод, через который ток выводится на нагрузку.
Высокое напряжение и ток, подходящий для мощных приложений, высокая надежность от известного производителя.
Необходимость в упаковке по 30 штук может ограничить небольшие заказы.
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер для транзистора IHW30N160R2FKSA1 составляет 1600 В.
В одной упаковке нормоупаковки находится 30 штук транзистора IHW30N160R2FKSA1.
Транзистор IHW30N160R2FKSA1 подходит для различных силовых приложений в индустриальной электронике.
Максимальная рассеиваемая мощность транзистора составляет 310 Вт.
Корпус транзистора IHW30N160R2FKSA1 выполнен в формате TO-247.