STP30NF10

Источник изображений товара: Промэлектроника. Внешний вид товара может отличаться от изображённого

48.84 ₽

Цена на 21.05.2026

Источник изображений товара:Промэлектроника

Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика

Цена на 21.05.2026

48.84 ₽

N-Channel STripFET™, STMicroelectronics

Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.

Артикул магазина: 127066
Наименование: STP30NF10
Производитель: ST Microelectronics
Описание Eng: N-CHANNEL 100V 0.038 OHM 35A LOW GATE CHARGE STRIPFET POWER II MOSFET
Тип упаковки: Tube (туба)
Нормоупаковка: 50 шт
Корпус: TO-220
Напряжение сток-исток макс.: 100В
Ток стока макс.: 35A
Сопротивление открытого канала: 45 мОм
Мощность макс.: 115Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 55нКл
Входная емкость: 1180пФ
Тип монтажа: Through Hole
Вес брутто: 2.72 г.
Максимальная рабочая температура: +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока: 35 A
Тип корпуса: TO-220
Максимальное рассеяние мощности: 115 W
Ширина: 4.6мм
Высота: 9.15мм
Размеры: 10.4 x 4.6 x 9.15мм
Материал транзистора: SI
Количество элементов на ИС: 1
Длина: 10.4мм
Transistor Configuration: Одинарный
Типичное время задержки включения: 15 нс
Типичное время задержки выключения: 45 ns
Серия: STripFET
Минимальная рабочая температура: -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage: 4V
Minimum Gate Threshold Voltage: 2V
Максимальное сопротивление сток-исток: 45 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
Число контактов: 3
Категория: Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs: 40 nC @ 10 V
Номер канала: Поднятие
Типичная входная емкость при Vds: 1180 пФ при 25 В
Тип канала: N
Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В
Вес, г: 2.5

Планируете оптовую закупку?

Направьте заявку на почту b2b@poisk.im. Мы сами найдём необходимые товары, узнаем, где их купить, и попросим проверенных продавцов связаться с вами и направить коммерческие предложения.