Колпачок свечной высоковольтный СССР длинный (пара)
183 ₽
Цена на 11.05.2026
Яндекс.МаркетВысоковольтный N-канальный MOSFET IRFBE30PBF 800V 4.1A Vishay
Источник изображений товара: Промэлектроника. Внешний вид товара может отличаться от изображённого
72.6 ₽
- Бренд:
- Производитель:
- Модель:
Источник изображений товара:Промэлектроника
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Цена на 20.05.2026
72.6 ₽
Яндекс.Маркет
Мощный высоковольтный электрический краскопульт; 1200 Вт;
9 438 ₽
Цена на 20.05.2026
Яндекс.Маркет
Диод высоковольтный BPA spare parts, для СВЧ, медный, пластиковый
209 ₽
Цена на 21.05.2026
Яндекс.МаркетРеклама. ООО "ЯНДЕКС МАРКЕТ", ИНН: 9704254424. Правообладатель изображений: Яндекс.Маркет.
IRFBE30PBF - высоковольтный N-канальный MOSFET от Vishay Semiconductors, предназначенный для применения в силовой электронике и управлении токами до 4.1А. Этот транзистор обладает максимальным напряжением сток-исток 800V, что делает его подходящим для высоковольтных цепей и промышленных устройств. Благодаря корпусу TO-220AB и типу монтажа Through Hole, его легко установить на печатную плату или радиатор, обеспечивая надежное теплоотведение. Основные преимущества данной модели включают низкое сопротивление канала в открытом состоянии, что способствует снижению потерь и увеличению эффективности работы схемы. Также высокая мощность рассеивания 125Вт позволяет использовать MOSFET в тяжелых режимах эксплуатации.
Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.
- Артикул магазина
- 45417
- Наименование
- IRFBE30PBF
- Производитель
- Vishay
- Описание
- MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
- Тип упаковки
- Tube
- Нормоупаковка
- 50 шт
- Корпус
- TO-220AB
- S
- Крутизна характеристики - скорость изменения тока стока при изменении напряжения затвора
- Rds(on)
- Сопротивление в открытом состоянии канала, влияет на потери и эффективность
- Пороговое напряжение
- Минимальное напряжение затвора, при котором транзистор начинает проводить
Высокое напряжение и мощность, низкое сопротивление в открытом состоянии, удобная упаковка, надежность от Vishay
Маленький вес может усложнить монтаж для начинающих, требует радиатора при длительных нагрузках
Этот MOSFET подходит для силовых преобразователей, инверторов, источников питания и других высоковольтных схем, где требуется высокая надежность и эффективность.
Корпус TO-220AB обеспечивает хорошее теплоотведение и легкость монтажа, он подходит для радиаторов и пайки на печатные платы через отверстия.
Да, можно, но его основные преимущества проявляются при высоковольтных нагрузках. В низковольтных схемах есть более подходящие модели с меньшим напряжением и сопротивлением.
Следует учитывать максимальные параметры напряжения и тока, обеспечить хорошее охлаждение, а также избегать превышения порогового напряжения затвора для предотвращения нежелательного включения.