MOSFET транзистор N-канальный SPW20N60CFDFKSA1 600V 20A 208W инфинион

597.1
Цена на 29.05.2026
Бренд:
Производитель:
Модель:
Источник изображений товара:Промэлектроника
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Цена на 29.05.2026
597.1

Транзистор полевой MOSFET N-канальный SPW20N60CFDFKSA1 от Infineon Technologies обеспечивает высокую надежность и эффективность в работе. Этот компонент предназначен для использования в мощных электронных схемах, где важна стойкость к напряжению до 600В и токам до 20А. Благодаря высокому КПД и низкому сопротивлению открытого канала, данная модель идеально подходит для устройств повышенной мощности и энергетической эффективности. Технические характеристики включают максимальное напряжение сток-исток 650В, мощность до 208Вт и тип корпуса TO-247. Установка производится методом through hole, что обеспечивает надежную фиксацию и теплоотвод. Этот транзистор легко интегрировать в различные промышленные и автомобильные системы, что делает его универсальным решением для специалистов в области электроники и силовой электроники.

Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.
Артикул магазина
239647
Наименование
SPW20N60CFDFKSA1
Описание Eng
Field-effect transistor, N-channel, 600V 20A 208W
Тип упаковки
Tube (туба)
Нормоупаковка
30 шт
Корпус
TO-247
Напряжение сток-исток макс.
650В
MOSFET
Мосфет транзистор с полевым эффектом
Корпус TO-247
Тип корпуса транзистора предназначен для надежного крепления и теплоотведения
Сопротивление открытого канала
Сопротивление между стоком и истоком при открытом транзисторе
Заряд затвора
Электрическая емкость затвора транзистора
Высокая напряженность и токовая нагрузка, надежность, компактный корпус, простота монтажа
Цена немного выше аналогов, требует грамотной установки для оптимальной работы
Установка производится методом through hole в соответствующие монтажные отверстия на плате, соблюдая полярность и тепловой режим для обеспечения надежного контакта и теплоотвода.
Данный транзистор обладает высокой максимальной напряженностью и токовой нагрузкой, обеспечивает низкое сопротивление открытого канала и высокую мощность, что делает его подходящим для мощных устройств и систем управления.
Да, благодаря высоким параметрам по напряжению и току, этот MOSFET подходит для автомобильной электроники и силовых модулей, однако необходимо правильно учитывать требования к теплоотводу и схемотехнику.

Планируете оптовую закупку?

Направьте заявку на почту b2b@poisk.im. Мы сами найдём необходимые товары, узнаем, где их купить, и попросим проверенных продавцов связаться с вами и направить коммерческие предложения.