IRF640NSTRLPBF

Источник изображений товара: Промэлектроника. Внешний вид товара может отличаться от изображённого

3░░░ ₽

Цена на 26.05.2026

История цены

Источник изображений товара:Промэлектроника

Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика

Цена на 26.05.2026

3░░░ ₽

История цены

MOSFET; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current, Id: 18A; Package/Case: D2-PAK; Power Dissipation, Pd: 150W; Continuous Drain Current - 100 Deg C: 13A; Drain Source On Resistance @ 10V: 150mohm Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 18 А, Сопротивление открытого канала (мин) 150 мОм

Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.

Артикул магазина: 203733
Наименование: IRF640NSTRLPBF
Производитель: Infineon Technologies
Описание Eng: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка: 800 шт
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.: 200В
Ток стока макс.: 18A
Сопротивление открытого канала: 150 мОм
Мощность макс.: 150Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 67нКл
Входная емкость: 1160пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Вес брутто: 2.3 г.
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.15 ом при 11a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150
Крутизна характеристики, S: 6.8
Вес, г: 2.5

Планируете оптовую закупку?

Направьте заявку на почту b2b@poisk.im. Мы сами найдём необходимые товары, узнаем, где их купить, и попросим проверенных продавцов связаться с вами и направить коммерческие предложения.