Биполярный транзистор IGBT IKW30N60H3FKSA1 600V 60A 187W Infineon
Источник изображений товара: Промэлектроника. Внешний вид товара может отличаться от изображённого
108.15 ₽
- Бренд:
- Производитель:
- Модель:
Источник изображений товара:Промэлектроника
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Цена на 05.05.2026
108.15 ₽
Биполярный транзистор IGBT модели IKW30N60H3FKSA1 от производителя Infineon Technologies - это высокотехнологичный полупроводниковый компонент, предназначенный для мощных электросистем. Он обладает номинальным напряжением до 600 В и максимальным током 60 А, что дает надежную работу в различных промышленных и силовых приложениях. Транзистор имеет корпус PG-TO-247-3, что облегчает его установку и теплоотвод, а его рассеяние мощности достигает 187 Вт, что позволяет использовать его в системах с высокой мощностью и эффективностью.
Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.
- Артикул магазина
- 202862
- Производитель
- Infineon Technologies
- Корпус
- PG-TO-247-3
- Максимальное напряжение коллектора-эмиттера
- 600V
- Максимальный ток коллектора
- 60A
- Максимальная рассеиваемая мощность
- 187W
- IGBT
- Биполярный транзистор с изолированным затвором, используемый для высоковольтных и мощных электроустройств
- Корпус PG-TO-247-3
- Тип корпуса с тремя выводами, подходит для эффективного теплоотвода
Высокая надежность и эффективность при работе с мощностью до 187 Вт, универсальный корпус для теплоотвода, высокая максимальная мощность и токовые параметры
Стоимость может быть выше аналоги при меньшее требования по току, возможна сложность установки из-за необходимого теплоотвода
Этот транзистор идеально подходит для силовых инверторов, контроллеров электроприводов и промышленных систем, требующих высокой мощности и надежности.
Рекомендуется использовать теплоотводы и вентиляцию совместно с корпусом PG-TO-247-3 для эффективного отвода тепла и предотвращения перегрева.
Нет, максимальное допустимое напряжение для этого транзистора — 600 В. Использование при более высоких напряжениях недопустимо и может привести к поломке.
IGBT сочетает в себе высокую эффективность и быстродействие биполярных транзисторов с управляемостью полевых транзисторов, что позволяет использовать их в высоковольтных и мощных схемах с меньшими потерями.