BC846BDW1T1G

Источник изображений товара: Промэлектроника. Внешний вид товара может отличаться от изображённого

1.93 ₽

Цена на 20.05.2026

Источник изображений товара:Промэлектроника

Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика

Цена на 20.05.2026

1.93 ₽

The BC846BDW1T1G is a NPN dual Transistor, designed for general purpose amplifier applications. Ideal for low power surface mount applications. • AEC-Q101 Qualified• PPAP capable• Halogen-free

Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.

Артикул магазина: 86837
Наименование: BC846BDW1T1G
Производитель: ON Semiconductor
Описание Eng: NPN 65V 0.1A Automotive
Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка: 3000 шт
Корпус: SOT363-6
Тип транзисторной сборки: 2 NPN
Напряжение КЭ Макс.: 65 В
Ток коллектора Макс.: 100 мА
Мощность Макс.: 380 мВт
Коэффициент усиления hFE Мин.: 200
Вес брутто: 0.03 г.
Структура: 2 x npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 65
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0,1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 200…450
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0,25
Вес, г: 0.04

Планируете оптовую закупку?

Направьте заявку на почту b2b@poisk.im. Мы сами найдём необходимые товары, узнаем, где их купить, и попросим проверенных продавцов связаться с вами и направить коммерческие предложения.