Infineon IGBT Transistor IKW25N120T2FKSA1 1200V 50A

Артикул магазина:

146520

Изображение товара Infineon IGBT Transistor IKW25N120T2FKSA1 1200V 50A

Источник изображений товара: Промэлектроника. Внешний вид товара может отличаться от изображённого

Артикул магазина:

146520

216.91 ₽

Цена на 18.01.2026

Бренд:
Производитель:
Модель:

Источник изображений товара:Промэлектроника

Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика

Цена на 18.01.2026

216.91 ₽

Транзисторы IGBT Infineon TrenchStop IKW25N120T2FKSA1 предназначены для применения в высоковольтных ситуациях с диапазоном коллектор-эмиттерного напряжения от 1100 до 1600V. Эти транзисторы обладают высокой производительностью благодаря технологии TrenchStop™, обеспечивая эффективную передачу и управление электроэнергией. В этом компоненте предусмотрен встроенный диод быстрой реакции, что увеличивает его надежность и долговечность в различных электрических схемах. Транзисторы обеспечивают максимальный ток коллектора до 50A и максимальную рассеиваемую мощность 349W, что делает их идеальными для использования в мощной электронике и промышленных приложениях. Производительность компонентов дополнительно подтверждается способностью работать в широком диапазоне температур от -40 до +175 градусов Цельсия.

Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.

НаименованиеIKW25N120T2FKSA1

Тип упаковкиTube (туба)

Нормоупаковка30 шт

КорпусPG-TO-247-3

Макс. напр. коллектор-эмиттер1200 В

Макс. ток коллектора50 А

Импульсный ток коллектора макс.100 А

Макс. рассеиваемая мощность349 Вт

Переключаемая энергия2.9 мДж

Вес брутто8.3 г.

Максимальная рабочая температура+175 °C

Длина16.13мм

Тип корпусаTO-247

Максимальное рассеяние мощности349 Вт

Тип монтажаМонтаж на плату в отверстия

Минимальная рабочая температура-40 °C

Ширина5.21мм

Высота21.1мм

Число контактов3

Размеры16.13 x 5.21 x 21.1мм

Максимальное напряжение затвор-эмиттер±20V

Тип каналаN

Емкость затвора1600пФ

TrenchStopТехнология, которая позволяет улучшить эффективность транзисторов за счет оптимизации структуры их каналов.

IGBTИзолированный затворный биполярный транзистор — полупроводниковый прибор, сочетающий свойства биполярного и полевого транзисторов.

Высокая эффективность, надежность и широкий температурный диапазон работы делают транзисторы идеальными для мощных приложений.

Ограниченная упаковка в 30 штук может затруднить закупку для крупных проектов.