Категории:

Полезный MOSFET N-канальный 250В 61A IPP220N25NFDAKSA1 от Infineon

400.74
Цена на 23.05.2026
Бренд:
Производитель:
Модель:
Источник изображений товара:Промэлектроника
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Цена на 23.05.2026
400.74

Транзистор полевой MOSFET N-канальный IPP220N25NFDAKSA1 от Infineon Technologies - отличный выбор для радиоконструкторов и электронных проектов, требующих высокой надежности и мощности. Этот мощный MOSFET предназначен для работы при напряжении до 250В и токе до 61А, что делает его незаменимым в схемах управления нагрузками и силовой электронике. Благодаря корпусу TO-220-3 и особенностям типа транзистора - N-канал, устройство удобно монтировать и эксплуатировать в различных условиях. Этот MOSFET обладает низким сопротивлением открытого канала 22 мОм при токе 61А, что дает высокую эффективность и минимальные потери. Также он отличается особенностью Logic Level Gate, что упрощает управление и снижает требования к напряжению включения, а пороговое напряжение - максимум 4В. Высокая мощность до 300Вт и входная емкость 7076пФ делают его универсальным для различных применений в силовой электронике и автоматике.

Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.
Артикул магазина
414092
Наименование
IPP220N25NFDAKSA1
Производитель
Infineon Technologies
Описание Eng
MOSFET N-CH 250V 61A TO220
Тип упаковки
Tube (туба)
Нормоупаковка
50 шт
Корпус
TO-220-3
Logic Level Gate
Устройство управляется низким напряжением включения
Корпус TO-220-3
Тип корпуса транзистора для монтажа на печатную плату
Пороговое напряжение включения
Минимальное напряжение для открытия транзистора
Заряд затвора
Количество заряда, необходимое для переключения транзистора
Высокая допустимая мощность и ток, низкое сопротивление канала, удобный монтаж, надежный бренд
Не подходит для приложений, требующих низкой входной емкости или очень быстрых переключений, возможна необходимость радиатора при длительной нагрузке
Этот MOSFET отлично подходит для управления высокими нагрузками, силовой электроники, автоматических систем и радиоконструкторских проектов.
Для открытия транзистора достаточно напряжения около 4В, что делает его совместимым с низковольтными управляющими схемами.
Да, благодаря хорошим характеристикам и низкому сопротивлению он подойдет для импульсных приложений, однако требуется учитывать входную емкость и тепловые нагрузки.

Планируете оптовую закупку?

Направьте заявку на почту b2b@poisk.im. Мы сами найдём необходимые товары, узнаем, где их купить, и попросим проверенных продавцов связаться с вами и направить коммерческие предложения.