Категории:

Infineon FP75R12KE3BOSA1 Модуль IGBT 1200В 75А

21 271
Цена на 21.05.2026
Источник изображений товара:Промэлектроника
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Цена на 21.05.2026
21 271

Реклама. ООО "ЯНДЕКС МАРКЕТ", ИНН: 9704254424. Правообладатель изображений: Яндекс.Маркет.

Модуль IGBT FP75R12KE3BOSA1 от компании Infineon представляет собой высококачественное решение для преобразования энергии, обеспечивая низкие потери на переключение при частотах до 60 кГц. Этот модуль широко используется в промышленности, коммерческом секторе, строительстве и сельском хозяйстве, что делает его универсальным инструментом для различных приложений. Основные характеристики включают напряжение коллектор-эмиттер 1200 В и ток коллектора 75 А. Модуль также подходит для жесткого и мягкого переключения, что позволяет применять его в инверторах, источниках бесперебойного питания и промышленных приводах. Специальная конструкция, включая использование технологий N-Channel TRENCHSTOP и Fieldstop, гарантирует эффективность и надежность работы в различных условиях.

Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.
Артикул магазина
137821
Производитель
Infineon Technologies
Корпус
ECONO2-1
Напряжение коллектор-эмиттер
1200В
Ток коллектора
75А
IGBT
Интегральный биполярный транзистор, который сочетает в себе преимущества биполярных и полевых транзисторов.
N-Channel TRENCHSTOP
Тип IGBT, обеспечивающий низкие потери на переключение.
Fieldstop
Технология, увеличивающая эффективность IGBT в режиме переключения.
Низкие потери на переключение, высокая производительность на больших частотах, универсальность применения.
Может быть ограничен для использования в высоковольтных приложениях выше 1200В.

Планируете оптовую закупку?

Направьте заявку на почту b2b@poisk.im. Мы сами найдём необходимые товары, узнаем, где их купить, и попросим проверенных продавцов связаться с вами и направить коммерческие предложения.