Биполярный транзистор IGBT HGTG30N60A4 600 В 75 А 463 Вт

Биполярный транзистор IGBT HGTG30N60A4 от известного производителя ON Semiconductor обеспечивает надежность и высокую производительность в силовой электронике. Этот компонент способен работать при максимальном напряжении 600 В и токе до 75 А, что делает его идеальным выбором для промышленных устройств, преобразователей мощности и систем преобразования энергии. Благодаря высокой рассеиваемой мощности в 463 Вт и быстрому времени переключения, транзистор обеспечивает эффективное управление мощностью и снижение тепловых потерь. HGTG30N60A4 отличается высоким уровнем надежности и долговечности, что гарантирует стабильную работу даже в условиях высоких нагрузок. Простая интеграция в схемы и соответствие стандартам делают этот транзистор популярным среди инженеров и разработчиков электротехники. Данный компонент подходит для различных задач силовой модернизации и автоматизации, позволяя повысить эффективность и безопасность устройств.

Высокая надежность и эффективность, подходит для промышленных применений, низкий уровень тепловых потерь

Стоимость может быть выше по сравнению с аналогами, требует аккуратной тепловой компенсации