Категории:

MOSFET транзистор IRFB3207ZGPBF 75V 120A TO-220AB высоковольтный мощный транзистор

114.39
Цена на 21.05.2026
Бренд:
Производитель:
Модель:
Источник изображений товара:Промэлектроника
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Цена на 21.05.2026
114.39

IRFB3207ZGPBF - это мощный полевой транзистор MOSFET N-канального типа, предназначенный для использования в различных электронных устройствах и схемах управления мощностью. Этот транзистор обладает напряжением стока-истока максимум 75В и током стока до 120А, что дает высокую эффективность и надежность при работе с большими нагрузками. Благодаря корпусу TO-220AB и типу монтажа через отверстие, устройство легко интегрируется в различные печатные платы и системы охлаждения. Основные преимущества IRFB3207ZGPBF - высокая мощность до 300Вт, низкое сопротивление открытого канала в 4. 1 мОм, а также возможность работы при логическом уровне управления Gate благодаря особенности Logic Level Gate. В устройстве реализованы такие параметры, как заряд затвора 170 нКл и входная емкость 6920 пФ, что дает снижение потребления энергии при переключении. Это делает транзистор идеальным решением для силовых приложений, требующих высокой эффективности и надежности, например, в инверторах, преобразователях и силовых контроллерах.

Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.
Артикул магазина
464654
Наименование
IRFB3207ZGPBF
Производитель
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
Тип упаковки
Tube
Нормоупаковка
50 шт
Корпус
TO-220AB
Logic Level Gate
Тип Gate транзистора, управляемый логическим уровнем, что обеспечивает работу с низким напряжением управления
Пороговое напряжение включения
Минимальное напряжение, при котором транзистор начинает проводить
Заряд затвора
Объем затвора, необходимый для переключения транзистора
Входная емкость
Конденсаторная емкость входа транзистора, влияет на быстродействие переключения
Высокая мощность до 300Вт, низкое сопротивление канала, простота монтажа через отверстие, подходит для силовых схем
Относительно большой вес и объем сравнительно с мелкими компонентами, требует теплоотвода при высокой нагрузке
Этот транзистор подходит для мощных силовых схем, инверторов, преобразовательных блоков и источников питания, требующих высокого тока и напряжения.
При высокой нагрузке рекомендуется использовать радиатор для предотвращения перегрева и обеспечения надежной работы транзистора.
Он обладает высокой мощностью, низким сопротивлением в открытом состоянии, возможностью работы с низким управляемым напряжением благодаря Logic Level Gate и низким потреблением энергии при переключении.
Это тип корпуса, предназначенный для монтажа через отверстие, удобен для установки теплоотводов и обеспечивает надежное подключение.
При работе на максимальной мощности рекомендуется использовать радиатор или систему охлаждения для обеспечения температуры в допустимых пределах и предотвращения перегрева.

Планируете оптовую закупку?

Направьте заявку на почту b2b@poisk.im. Мы сами найдём необходимые товары, узнаем, где их купить, и попросим проверенных продавцов связаться с вами и направить коммерческие предложения.