Модуль памяти DDR4 8GB 3200 МГц UDIMM CBR CD4-US08G32M22-00S

Артикул магазина:
CD4-US08G32M22-00S
Артикул магазина:
CD4-US08G32M22-00S
5 790
Цена на 03.02.2026
Бренд:
Модель:
Источник изображений товара:XCOM-SHOP.RU
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Цена на 03.02.2026
5 790

Модуль памяти DDR4 8GB CBR CD4-US08G32M22-00S отлично подходит для обновления вашего компьютера. Он обеспечивает высокую скорость работы до 3200 МГц, что позволяет ускорить выполнение задач и повысить общую производительность системы. Благодаря форм-фактору UDIMM, модуль совместим с большинством настольных ПК и серверных платформ, а отсутствие подсветки и радиатора делает его максимально универсальным и компактным. Модель характеризуется низким напряжением питания 1.2 В, что способствует снижению энергопотребления и выделения тепла. В комплект входит один модуль объемом 8 ГБ, с задержками RAS to CAS Delay 22, Row Precharge Delay 22 и Activate to Precharge Delay 52. Удобство использования достигается благодаря простоте установки и высокой стабильности работы благодаря качественной памяти DDR4. Это надежное решение для тех, кто ищет конкурентоспособный по цене и качеству компонент для апгрейда системы.

Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.

Подсветка элементов платыНет
РадиаторНет
Напряжение питания1.2 В
Объем одного модуля8 ГБ
Activate to Precharge Delay (tRAS)52
RAS to CAS Delay (tRCD)22
Row Precharge Delay (tRP)22
Тип памятиDDR4
Форм-факторUDIMM
Количество модулей в комплекте1
Частота памяти3200 МГц
CAS Latency (CL)22
Объём памяти комплекта8 ГБ
Пропускная способность25600 МБ/сек
Подсветка элементов платыОтсутствие подсветки на плате
РадиаторОтсутствие радиатора для охлаждения
Напряжение питанияЭлектрическое напряжение, необходимое для работы модуля
Объем одного модуляОбъем памяти, установленной в одном модуле
Activate to Precharge Delay (tRAS)Время с момента активации строки до ее предварительной зарядки
RAS to CAS Delay (tRCD)Время задержки между командами RAS и CAS
Row Precharge Delay (tRP)Время задержки перед следующей активацией строки
Тип памятиТип оперативной памяти (например, DDR4)
Форм-факторФормат корпуса модуля памяти
CAS Latency (CL)Количество тактов задержки между командой и началом выполнения
Пропускная способностьМаксимальная скорость передачи данных

Высокая скорость 3200 МГц, низкое напряжение 1.2 В, надежность и совместимость с большинством ПК

Отсутствие подсветки и радиатора, один модуль в комплекте

Планируете оптовую закупку?

Направьте заявку на почту b2b@poisk.im. Мы сами найдём необходимые товары, узнаем, где их купить, и попросим проверенных продавцов связаться с вами и направить коммерческие предложения.