Полумостовой модуль IGBT 1200V 150A MGC75D12A1-251H3 TECH Semiconductors
Источник изображений товара: Промэлектроника. Внешний вид товара может отличаться от изображённого
- Бренд:
- Производитель:
- Модель:
Полумостовой модуль IGBT MGC75D12A1-251H3 от TECH Semiconductors Co., Ltd предназначен для использования в мощных электронных устройствах и промышленной автоматике. Он обеспечивает надежную работу при напряжении до 1200В и токе до 150А, что делает его отличным решением для инверторов, преобразователей и силовых блоков питания. Благодаря высокой эффективности и надежности, этот модуль способствует снижению энергопотерь и повышению долговечности оборудования. Модуль поставляется в рассыпном виде (bulk), что позволяет удобно интегрировать его в различные системы. Вес брутто составляет 160 г, что обеспечивает удобство монтажа и эксплуатации. Использование данного IGBT модуля позволяет добиться высокой производительности и стабильности работы ваших электронных устройств, а также обеспечивает простоту в обслуживании и замене компонентов.
Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.
Высокая надежность и эффективность, высокая мощность при напряжении до 1200В, легко интегрируется в промышленные системы
Отсутствие предустановленной упаковки, возможна необходимость профессиональной установки