POISK.IMПоиск по интернет-магазинам
Подключить магазин
Категории:

MOSFET N-канальный транзистор STP11NM80 800V 11A корпус TO-220AB

Превью изображения товара
Превью изображения товара
Изображение товара MOSFET N-канальный транзистор STP11NM80 800V 11A корпус TO-220AB

Источник изображений товара: Промэлектроника. Внешний вид товара может отличаться от изображённого

233.52 ₽
Цена на 25.05.2026
Бренд:
Производитель:
Модель:
Источник изображений товара:Промэлектроника
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Цена на 25.05.2026
233.52 ₽

Реклама. ООО "ЯНДЕКС МАРКЕТ", ИНН: 9704254424. Правообладатель изображений: Яндекс.Маркет.

Полностью полевой транзистор MOSFET с N-канальной структурой модели STP11NM80. Основные характеристики включают максимальное напряжение сток-исток 800В и ток стока до 11А, что делает его идеальным для использования в высоковольтных цепях и мощных драйверах. Транзистор выполнен в корпусе TO-220AB, что обеспечивает надежное крепление и теплоотвод. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала 400 мОм, устройство обеспечивает эффективную работу при минимальных потерях энергии. Это устройство особенно подходит для профессиональных радиотехнических и силовых приложений, а также в бытовой технике и промышленной автоматике.

Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.
Артикул магазина
150146
Наименование
STP11NM80
Производитель
ST Microelectronics
Описание Eng
N-channel 800 V, 0.35 Ohm, 11 A
Тип упаковки
Tube (туба)
Нормоупаковка
50 шт
Корпус
TO-220AB
MOSFET
Метал-оксидный полупроводниковый полевый транзистор
Н-канальный
Транзистор с каналом типа N, проводящий при напряжении positive
Пороговое напряжение
Напряжение включения транзистора, при котором он начинает проводить
Заряд затвора
Количество электрического заряда, необходимое для открытия транзистора
Входная емкость
Ёмкость затвора транзистора, влияет на быстродействие и управление
Высокое максимальное напряжение 800В и ток 11А, надежный корпус TO-220AB, низкое сопротивление канала, высокая мощность
Требует аккуратного монтажа, ограничен в применениях с низковольтными схемами
Данный MOSFET отлично подходит для высоковольтных исоких мощных цепей, драйверов двигателей, инверторов и силовых источников питания благодаря максимальному напряжению 800В и высокой мощностной характеристике.
Да, он подходит для разнообразных радиолюбительских проектов, особенно там, где требуется управление высоковольтными нагрузками и надежное теплоотведение.
Транзистор выполнен в корпусе TO-220AB с типом монтажа Through Hole, что облегчает его закрепление и теплоотвод. Необходимо обеспечить хорошее охлаждение для долговременной стабильной работы.

Планируете оптовую закупку?

Направьте заявку на почту b2b@poisk.im. Мы сами найдём необходимые товары, узнаем, где их купить, и попросим проверенных продавцов связаться с вами и направить коммерческие предложения.