MOSFET N-канальный 800В 12.6A TO-3P транзистор ON Semiconductor

332.7
Цена на 10.05.2026
Бренд:
Производитель:
Модель:
Источник изображений товара:Промэлектроника
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Цена на 10.05.2026
332.7

Транзистор полевой MOSFET N-канальный FQA13N80_F109 предназначен для использования в силовых схемах и электронных устройствах. Он обладает высоким напряжением сток-исток до 800 В и током до 12.6 А, что делает его подходящим для различных высоковольтных и мощности приложений. Корпус TO-3P обеспечивает надежность монтажа и теплоотвод, позволяя эффективно располагать устройство в схемах с высокими требованиями к теплообмену. Эта модель отличается низким сопротивлением открытого канала и высокой мощностью рассеивания до 300 Вт. Благодаря характеристикам, таким как пороговое напряжение включения и заряд затвора, транзистор легко управляется и обеспечивает стабильную работу в различных режимах. Идеально подходит для использования в силовых преобразователях, инверторах и других устройствах, где важна надежность и эффективность работы. Компактность и стандартное монтажное отверстие делают его удобным в установке без необходимости дополнительных адаптаций.

Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.
Артикул магазина
198483
Наименование
FQA13N80_F109
Производитель
ON Semiconductor
Описание
MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P
Тип упаковки
Tube (туба)
Нормоупаковка
30 шт
Корпус
TO-3P(N)
MOSFET
Полеовой транзистор, используемый для управления током в схемах
Пороговое напряжение включения
Минимальное напряжение для открытия транзистора
Заряд затвора
Объем электрического заряда, необходимый для открытия транзистора
Корпус TO-3P
Стандартный металлический корпус для мощных транзисторов
Сопротивление открытого канала
Параметр, определяющий сопротивление при полностью открытом транзисторе
Высокое напряжение и ток, надежный корпус, хорошая теплопередача, высокая мощность
Требует аккуратного монтажа, чувствителен к статическому электричеству
Этот транзистор подходит для высоковольтных схем, силовых преобразователей, инверторов и управляемых источников питания, где важна высокая надежность и мощность.
Устанавливайте транзистор в корпусе TO-3P с помощью стандартных монтажных отверстий, обеспечивая хорошее теплоотведение и соблюдая полярность для предотвращения повреждений.
Избегайте электростатического разряда, используйте заземление и антистатические браслеты, а также соблюдайте параметры в соответствии с технической документацией для предотвращения выхода из строя.
Для включения транзистора подавайте не более 5 В на затвор, при этом обеспечивая заряд затвора в 88 нКл для стабильной работы.

Планируете оптовую закупку?

Направьте заявку на почту b2b@poisk.im. Мы сами найдём необходимые товары, узнаем, где их купить, и попросим проверенных продавцов связаться с вами и направить коммерческие предложения.