Биполярный транзистор IGBT HGTP20N60A4 600 В 70 А 290 Вт

Биполярный транзистор IGBT HGTP20N60A4 предназначен для мощных схем и устройств, требующих высокой надежности и эффективности. Этот транзистор способен выдерживать максимальное напряжение до 600 В и ток до 70 А, что делает его идеальным выбором для инверторов, драйверов моторов и силовых источников питания. Благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии и высокой скорости переключения, он дает минимальные потери энергии и высокую производительность. Основные преимущества HGTP20N60A4 - высокая мощность рассеивания до 290 Вт и импульсная энергия переключения, что позволяет использовать его в сложных схемах с высокой частотой переключения. Корпус TO-220AB упрощает монтаж и теплоотвод, а надежность изготовителя ON Semiconductor гарантирует долгий срок службы устройства. Этот транзистор сочетает в себе передовые технические характеристики и простоту установки, что делает его популярным выбором среди инженеров и радиолюбителей.

Высокая мощность, надежность, простота монтажа и эффективное теплоотведение

Относительно высокая цена, требует аккуратной установки из-за высокого уровня тепловых нагрузок