Биполярный транзистор IGBT STGWT30V60DF 600В 60А мощный и надёжный



Источник изображений товара: Промэлектроника. Внешний вид товара может отличаться от изображённого
- Бренд:
- Производитель:
- Модель:
Биполярный транзистор IGBT модели STGWT30V60DF предназначен для использования в мощных электронных устройствах и системах управления. Этот транзистор отличается высокой производительностью, способностью работать при напряжении до 600 В и токе до 60 А. Он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии и высокой скоростью переключения, что дает эффективную работу в силовых контурах и импульсных источниках питания. Благодаря корпусу TO-3P транзистор легко интегрируется в радиаторы, обеспечивая надёжное охлаждение и долгий срок службы. Такой компонент идеально подходит для промышленных приложений, инверторов, источников питания, силовых модуляторов и других высокотехнологичных решений. Высокая максимальная рассеиваемая мощность в 258 Вт и импульсная энергия до 383 мкДж позволяют использовать его в условиях интенсивных нагрузок, сохраняя стабильность и безопасность работы устройства. Этот транзистор отличается надёжностью и долговечностью, что важно для профессиональных решений. Производитель - ST Microelectronics, мировой лидер в производстве полупроводниковых устройств. Надёжность, качество и технические характеристики делают его популярным выбором в сфере электроники и силовой электроники. Если вам нужны мощные и долговечные управляемые компоненты - STGWT30V60DF станет отличным решением для ваших проектов.
- Артикул магазина
- 158995
- Производитель
- ST Microelectronics
- Корпус
- TO-3P
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер
- 600 В
- Максимальный ток коллектора
- 60 А
- Импульсный ток коллектора максимум
- 120 А
- Максимальная рассеиваемая мощность
- 258 Вт
- IGBT
- Иногда называют транзистором с изолированным затвором, combines характеристики транзисторов и диодов, используется в силовой электронике
- Корпус TO-3P
- Тип корпуса транзистора для эффективного охлаждения и монтажа
- Переключаемая энергия
- Энергия, рассеиваемая при переключении транзистора
Сравнение товаров
| Производитель | ||||
| — | ST Microelectronics | ST Microelectronics | ST Microelectronics | STG |
| Корпус | ||||
| — | TO-247 | TO-3P | TO-220F | — |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | ||||
| — | 650 В | 600 В | 600 В | — |
| Максимальный ток коллектора | ||||
| — | 120 А | 60 А | 11 А | — |
| Максимальная рассеиваемая мощность | ||||
| — | 469 Вт | 258 Вт | 28 Вт | — |




