Биполярное расстройство: гид по выживанию для тех, кто часто не видит белой полосы Пушкина М, Касьянов Е. Д.
1 092 ₽
Цена на 20.04.2026
Яндекс.МаркетБиполярный транзистор IGBT STGWT30V60DF 600В 60А мощный и надёжный
Источник изображений товара: Промэлектроника. Внешний вид товара может отличаться от изображённого
159.64 ₽
- Бренд:
- Производитель:
- Модель:
Источник изображений товара:Промэлектроника
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Цена на 22.04.2026
159.64 ₽
Яндекс.МаркетРеклама. ООО "ЯНДЕКС МАРКЕТ", ИНН: 9704254424. Правообладатель изображений: Яндекс.Маркет.
Биполярный транзистор IGBT модели STGWT30V60DF предназначен для использования в мощных электронных устройствах и системах управления. Этот транзистор отличается высокой производительностью, способностью работать при напряжении до 600 В и токе до 60 А. Он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии и высокой скоростью переключения, что дает эффективную работу в силовых контурах и импульсных источниках питания. Благодаря корпусу TO-3P транзистор легко интегрируется в радиаторы, обеспечивая надёжное охлаждение и долгий срок службы. Такой компонент идеально подходит для промышленных приложений, инверторов, источников питания, силовых модуляторов и других высокотехнологичных решений. Высокая максимальная рассеиваемая мощность в 258 Вт и импульсная энергия до 383 мкДж позволяют использовать его в условиях интенсивных нагрузок, сохраняя стабильность и безопасность работы устройства. Этот транзистор отличается надёжностью и долговечностью, что важно для профессиональных решений. Производитель - ST Microelectronics, мировой лидер в производстве полупроводниковых устройств. Надёжность, качество и технические характеристики делают его популярным выбором в сфере электроники и силовой электроники. Если вам нужны мощные и долговечные управляемые компоненты - STGWT30V60DF станет отличным решением для ваших проектов.
Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.
- Артикул магазина
- 158995
- Производитель
- ST Microelectronics
- Корпус
- TO-3P
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер
- 600 В
- Максимальный ток коллектора
- 60 А
- Импульсный ток коллектора максимум
- 120 А
- Максимальная рассеиваемая мощность
- 258 Вт
- IGBT
- Иногда называют транзистором с изолированным затвором, combines характеристики транзисторов и диодов, используется в силовой электронике
- Корпус TO-3P
- Тип корпуса транзистора для эффективного охлаждения и монтажа
- Переключаемая энергия
- Энергия, рассеиваемая при переключении транзистора
Высокая мощность и надежность, широкий диапазон напряжений и токов, удобный корпус для охлаждения и монтажа
Цена может быть выше для бюджетных решений, требует правильного охлаждения при интенсивной эксплуатации
Этот транзистор идеально подходит для использования в инверторах, силовых источниках питания, промышленных автоматизированных системах и любых высокопроизводительных электронных устройствах, требующих высокой мощности и скорости переключения.
При использовании важно учитывать максимально допустимое напряжение 600 В, ток 60 А, мощность 258 Вт и импульсную энергию 383 мкДж, а также обеспечить эффективное охлаждение корпуса TO-3P для предотвращения перегрева.
IGBT сочетает в себе свойства транзисторов и диодов, что обеспечивает более эффективное управление мощностью при высоких напряжениях и токах, а также обеспечивает быстрое переключение и низкие потерии энергии при работе в силовых цепях.
Да, благодаря высокой скорострельности и переключающей энергии он отлично подходит для импульсных источников питания и других приложений, где важна быстрая коммутация и мощность.
Сравнение товаров
| Производитель | ||||
| — | ST Microelectronics | ST Microelectronics | ST Microelectronics | ST Microelectronics |
| Корпус | ||||
| — | TO-247 | TO-3P | D2Pak (TO-263) | TO-220AB |
| Максимальный ток коллектора | ||||
| — | 120 А | 60 А | 20 А | — |
| Переключаемая энергия | ||||
| — | 2.1 мДж | 383 мкДж | 31.8 мкДж | 456 мкДж |