Оперативная память DDR3 8 ГБ Netac Basic NTBSD3P16SP-08 низкопрофильная

Артикул магазина:
5355602
Артикул магазина:
5355602
2 350
Цена на 26.12.2025
Бренд:
Модель:
Источник изображений товара:DNS (ДНС)
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Цена на 26.12.2025
2 350

Оперативная память Netac Basic [NTBSD3P16SP-08] представляет собой надежное решение для офисных и домашних компьютеров. Этот модуль DDR3 емкостью 8 ГБ обеспечивает стабильную работу системы благодаря тактовой частоте 1600 МГц и низким таймингам 11-11-11-28. Низкопрофильное исполнение позволяет легко установить память в ультракомпактных системах и улучшает циркуляцию воздуха внутри корпуса, что способствует снижению тепловыделения и предотвращению перегрева при длительной работе. Модуль обладает двусторонней компоновкой чипов, стандартным напряжением 1.5 В, не требует регистровых настроек и поддерживает низкое энергопотребление. Это делает его отличным выбором для тех, кто ищет баланс между производительностью и надежностью без лишних затрат. Простая установка и высокая совместимость с большинством систем делают данное решение популярным среди пользователей, желающих обновить или собрать систему с минимальными усилиями.

Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.

ТипОперативная память
МодельNetac Basic
Код производителя[NTBSD3P16SP-08]
Тип памятиDDR3
Тип модуля памятиUDIMM
Суммарный объем памяти всего комплекта8 ГБ
Объем одного модуля памяти8 ГБ
Количество модулей в комплекте1 шт
Регистровая памятьНет
ECC-памятьНет
Тактовая частота1600 МГц
Профили Intel XMPНет
CAS Latency (CL)11
RAS to CAS Delay (tRCD)11
Row Precharge Delay (tRP)11
Activate to Precharge Delay (tRAS)28
Наличие радиатораНет
Подсветка элементов платыНет
Низкопрофильная (Low Profile)Есть
Напряжение питания1.5 В
CAS Latency (CL)Время задержки между командой и началом выполнения операции
RAS to CAS Delay (tRCD)Время задержки между командой RAS и CAS
Row Precharge Delay (tRP)Время подготовки банка памяти к следующему доступу
Activate to Precharge Delay (tRAS)Минимальное время между активацией строки и ее предварительной зарядкой

Высокая стабильность работы, низкое тепловыделение, подходит для ультракомпактных систем

Не поддерживает профили XMP, отсутствует радиатор для охлаждения

Планируете оптовую закупку?

Направьте заявку на почту b2b@poisk.im. Мы сами найдём необходимые товары, узнаем, где их купить, и попросим проверенных продавцов связаться с вами и направить коммерческие предложения.

Сравнение товаров

Тип памяти
DDR3DDR4DDR4DDR5DDR4
Тактовая частота
1600 МГц3200 МГц2666 МГц4800 МГц3200 МГц
Напряжение питания
1.5 В1.2 В1.2 В1.1 В
Пропускная способность
25600 Мб/с21300 Мб/с38400 Мб/с25600
Латентность
CL19CL19CL40