Полеовой MOSFET N-канальный STP18NM80 800В 17А 190Вт

Артикул магазина:

150151

Изображение товара Полеовой MOSFET N-канальный STP18NM80 800В 17А 190Вт

Источник изображений товара: Промэлектроника

Артикул магазина:

150151

438.72 ₽

Цена на 14.09.2025

Источник изображений товара:Промэлектроника

Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика

Купить в Промэлектроника

Цена на 14.09.2025

438.72 ₽

Транзистор полевой MOSFET N-канальный STP18NM80 предназначен для высоковольтных и мощных электронных устройств. Он обладает высоким напряжением сток-исток до 800 В и способен проходить ток до 17 А, что делает его идеально подходящим для использования в мощных блоках питания, преобразователях и силовых схемах. Благодаря корпусу TO-220 его легко установить и обеспечивать хорошую теплоотдачу. Этот транзистор обеспечивает низкое сопротивление открытого канала и высокую мощность до 190 Вт, что способствует стабильной работе в нагрузках высокой мощности. Высокое качество производства и надежность бренда ST Microelectronics гарантируют долгий срок службы и эффективную работу устройства.

ПроизводительST Microelectronics

КорпусTO-220

Напряжение сток-исток макс.800В

Ток стока макс.17A

Сопротивление открытого канала295 мОм

Мощность макс.190Вт

Тип транзистораN-канал

Пороговое напряжение включения макс.5В

Заряд затвора70нКл

Входная емкость2070пФ

Тип монтажаThrough Hole

БрендST Microelectronics

MOSFETПолевой транзистор, управляемый напряжением

Корпус TO-220Тип корпуса с ножками для монтажа через отверстие

Сопротивление открытого каналаСопротивление между стоком и истоком при открытом состоянии транзистора

Заряд затвораКоличество электрического заряда, необходимого для переключения транзистора

Высокое напряжение и мощности, надежное качество, легкий монтаж, подходит для различных мощных устройств

Может потребоваться радиатор для работы на высоких мощностях, высокая входная емкость требует учета при проектировании