SSD накопитель Hikvision HS-SSD-E1000/256G Hiksemi M.2 PCIe NVMe 256GB

Артикул магазина:
1848114
Артикул магазина:
1848114
5 990
Цена на 13.01.2026
5 950по карте магазина
Бренд:
Модель:
Источник изображений товара:Ситилинк
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Цена на 13.01.2026
5 990
5 950по карте магазина

SSD накопитель Hikvision HS-SSD-E1000/256G Hiksemi является надежным и быстрым накопителем для компьютеров и ноутбуков. Он выполнен в форм-факторе M. 2 2280 и поддерживает интерфейс PCIe 3. 0 x4, что дает высокую скорость чтения до 1900 МБ/с и скорости записи до 1200 МБ/с. Благодаря технологии NVMe, устройство демонстрирует минимальное время задержки и высокую производительность. Это идеальный выбор для тех, кто ценит быстрый запуск системы, быструю обработку данных и надежную работу диска. Память NAND типа TLC и структура 3D позволяют обеспечить долговечность и стабильную работу накопителя. Ресурс TBW составляет 160 ТБ, а время наработки на отказ - 1 500 000 часов. Ударостойкость при хранении достигает 1000 G, что делает его устойчивым к физическим воздействиям. Минималистичный дизайн и компактные размеры позволяют легко установить устройство в любое совместимое устройство. Гарантия составляет 36 месяцев, что подтверждает качество продукции.

Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.

Объем накопителя256 ГБ
Форм-факторM.2 2280
ИнтерфейсPCIe 3.0 x4
РазъемM.2
Тип памяти NANDTLC
Структура памяти NAND3D
Поддержка NVMeЕсть
Тип жесткого дискаSSD
Максимальная скорость чтения1900 МБ/с
Максимальная скорость записи1200 МБ/с
Ресурс TBW160 ТБ
Время наработки на отказ1500000 часов
Ударостойкость при хранении1000 G
Потребляемая мощность7 Вт
ПредназначенДля ПК, для ноутбука
Ключ M.2 разъемаM
Толщина товара2.2 мм
Длина товара80 мм
Ширина товара22 мм
Вес устройства8 г
Габариты упаковки0.105x0.145x0.015 м
Вес упаковки0.08 кг
Гарантия36 мес.
NVMeИнтерфейс для быстрого обмена данными с накопителем
TBWОбщий допустимый объем записи данных, указывающий на износостойкость диска
TLCTriple-Level Cell, тип памяти NAND с тремя уровнями хранение данных
3DСтруктура NAND памяти с вертикальной укладкой для повышения надежности и ёмкости

Высокая скорость чтения и записи, надежность, длительный ресурс, компактный размер

Относительно высокая стоимость, рассчитана на определенные типы устройств