Биполярный транзистор IGBT STGP10NC60KD 600 В 20 А 65 Вт
Источник изображений товара: Промэлектроника. Внешний вид товара может отличаться от изображённого
- Производитель:
- Модель:
Биполярный транзистор IGBT модели STGP10NC60KD от производителя ST Microelectronics является высоким качественным компонентом для мощных электросхем. Он рассчитан на работу при напряжении до 600 В и максимальном токе 20 А, что делает его идеальным решением для промышленных и силовых приложений. Этот транзистор обладает высокой рассеиваемой мощностью 65 Вт и быстрым переключением с энергией 55 мкДж, что обеспечивает эффективную работу и снижение тепловых потерь. Благодаря своим характеристикам, STGP10NC60KD позволяет создавать надежные и долговечные схемы с высокой эффективностью. Он подходит для использования в преобразователях, приводах и инверторах, где важна высокая производительность и безопасность. Простая встроенная конструкция делает его удобным для установки и эксплуатации, обеспечивая стабильную работу в условиях интенсивных нагрузок.
Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.
Высокая надежность, мощность до 65 Вт, быстрый переключатель, подходит для промышленных приложений.
Не предназначен для низковольтных устройств, требует хорошего охлаждения при высокой нагрузке.
Сравнение товаров
| Производитель | ||||
| — | ST Microelectronics | STG | ST Microelectronics | ST Microelectronics |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | ||||
| — | 650 В | — | 600 В | 1200V |
| Максимальный ток коллектора | ||||
| — | 120 А | — | 20 А | 14A |
| Максимальная рассеиваемая мощность | ||||
| — | 469 Вт | — | 65 Вт | 75W |
| Переключаемая энергия | ||||
| — | 2.1 мДж | — | 55 мкДж | 236 µJ (on), 290 µJ (off) |