Поле транзистор N-канальный STD10NM60N 600В 10А корпус DPAK

57.77
Цена на 18.05.2026
Бренд:
Производитель:
Модель:
Источник изображений товара:Промэлектроника
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Цена на 18.05.2026
57.77

Транзистор полевой MOSFET N-канальный STD10NM60N отлично подойдет для различных электронных проектов и промышленных устройств. Этот компонент обеспечивает высокое напряжение до 600В и ток до 10А, что позволяет использовать его в мощных схемах с минимальными потерями энергии. Благодаря корпусу DPAK транзистор легко монтируется на печатную плату, а мощность до 70Вт делает его универсальным решением для управляющих цепей и усилителей. Характеристики включают низкое сопротивление открытого канала 550 мОм и пороговое напряжение включения до 4В, что обеспечивает плавное управление. Заряд затвора 19 нКл и входная емкость 540 пФ позволяют использовать его в схемах с быстрым переключением. Этот транзистор от производителя ST Microelectronics гарантирует качество и надежность долгие годы эксплуатации.

Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.
Артикул магазина
240537
Производитель
ST Microelectronics
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток макс.
600В
Ток стока макс.
10A
Сопротивление открытого канала
550 мОм
Мощность макс.
70Вт
MOSFET
Метал-оксидный полупроводниковый полевой транзистор
Пороговое напряжение включения
Напряжение, при котором транзистор начинает проводить ток
Корпус DPAK
Тип корпуса для монтажа поверхностным способом
Входная емкость
Ёмкость, связанная с управлением затвором транзистора
Высокое напряжение и токовая нагрузка, надежность производителя, легкость монтажа, низкое сопротивление канала
Относительно высокая входная емкость, требует аккуратного управления затвором
STD10NM60N — это N-канальный полевой транзистор, который работает при напряжении до 600В и токе до 10А. Он используется в усилителях, управляющих схемах и источниках питания.
Этот транзистор подходит для мощных схем, где требуется высокая стабильность и надежность при повышенных напряжениях и токах, например, в источниках питания, инверторах и драйверах.
Монтировать его рекомендуется на плату с помощью поверхности монтажа (Surface Mount), корпус DPAK обеспечивает надежное закрепление и хорошую теплопередачу.
Этот транзистор отличается высоким напряжением пробоя, низким сопротивлением открытого канала и высокой мощностью, а также надежностью бренда ST Microelectronics.

Планируете оптовую закупку?

Направьте заявку на почту b2b@poisk.im. Мы сами найдём необходимые товары, узнаем, где их купить, и попросим проверенных продавцов связаться с вами и направить коммерческие предложения.

Сравнение товаров

Бренд
LGST MicroelectronicsST MicroelectronicsST Microelectronics
Тип транзистора
N-каналN-каналN-канал
Сопротивление открытого канала
745 мОм550 мОм190 мОм
Заряд затвора
17.4 нКл19нКл46нКл
Входная емкость
452 пФ540пФ1400пФ