Биполярный транзистор IGBT STGW80H65DFB 650V 120A TO-247
Источник изображений товара: Промэлектроника. Внешний вид товара может отличаться от изображённого
Биполярный транзистор IGBT STGW80H65DFB от ведущего производителя ST Microelectronics - надежное решение для высоковольтных и мощных электронных устройств. Этот транзистор обладает номинальным напряжением 650 В и максимальным током 120 А, что позволяет использовать его в силовых схемах, требующих высокой эффективности и стабильности. Благодаря технологи N-CH и герметичной упаковке в тубе, он дает хорошую тепловую рассеиваемость и удобство монтажа. Высокая рассеянаемая мощность 469 Вт и короткое время переключения (2. 1 мДж) делают этот транзистор отличным выбором для управляемых силовых цепей, инверторов, преобразователей и источников питания.
Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.
Высокая напряженность и токовая нагрузка, высокая рассеиваемая мощность, надежная упаковка и легко интегрируется в силовые цепи.
Может потребоваться теплоотвод для длительной эксплуатации при больших нагрузках, ограничение по импульсным характеристикам.
Сравнение товаров
| Терка | ||||
| нет | ST Microelectronics | ST Microelectronics | ST Microelectronics | ST Microelectronics |
| Корпус | ||||
| — | TO-247 | TO-220 | TO-247 | TO-247 |
| Переключаемая энергия | ||||
| — | 2.1 мДж | 236 µJ (on), 290 µJ (off) | 305 мкДж | — |