Шаговый двигатель NEMA23, биполярный, угловой шаг 1,8 градуса, 112x57x57 мм
3 978 ₽
Цена на 14.05.2026
Яндекс.МаркетБиполярный транзистор IGBT STGW80H65DFB 650V 120A TO-247
Источник изображений товара: Промэлектроника. Внешний вид товара может отличаться от изображённого
365.74 ₽
Источник изображений товара:Промэлектроника
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Цена на 13.11.2026
365.74 ₽
Яндекс.МаркетРеклама. ООО "ЯНДЕКС МАРКЕТ", ИНН: 9704254424. Правообладатель изображений: Яндекс.Маркет.
Биполярный транзистор IGBT STGW80H65DFB от ведущего производителя ST Microelectronics - надежное решение для высоковольтных и мощных электронных устройств. Этот транзистор обладает номинальным напряжением 650 В и максимальным током 120 А, что позволяет использовать его в силовых схемах, требующих высокой эффективности и стабильности. Благодаря технологи N-CH и герметичной упаковке в тубе, он дает хорошую тепловую рассеиваемость и удобство монтажа. Высокая рассеянаемая мощность 469 Вт и короткое время переключения (2. 1 мДж) делают этот транзистор отличным выбором для управляемых силовых цепей, инверторов, преобразователей и источников питания.
Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.
- Артикул магазина
- 158989
- Наименование
- STGW80H65DFB
- Производитель
- ST Microelectronics
- Описание
- IGBT Chip N-CH 650V 120A
- Тип упаковки
- Tube (туба)
- Нормоупаковка
- 30 шт
- Корпус
- TO-247
- IGBT
- Инсулятед-gate bipolar транзистор - тип полупроводникового ключа, сочетающий свойства транзисторов и балластных диодов.
- Переключаемая энергия
- Энергия, выделяемая при переключении транзистора между состояниями, важна для определения быстроты и эффективности работы.
Высокая напряженность и токовая нагрузка, высокая рассеиваемая мощность, надежная упаковка и легко интегрируется в силовые цепи.
Может потребоваться теплоотвод для длительной эксплуатации при больших нагрузках, ограничение по импульсным характеристикам.
Этот транзистор рекомендуется использовать в силовых схемах, таких как инверторы, преобразователи напряжения и источники питания, где важна высокая мощность и надежность.
Основные преимущества — высокая максимальная напряженность и токовая нагрузка, высокая мощность рассеивания, а также удобная герметичная упаковка для монтажа.
Да, при длительных нагрузках рекомендуется использовать теплоотвод для предотвращения перегрева и обеспечения стабильной работы устройства.
Да, транзистор обладает хорошими характеристиками переключения, включая импульсный ток 240 А, что подходит для импульсных схем.
Получайте данные об этом и других товарах по API. Документация для разработчиков.
Пример запроса (в поле query укажите, например, название товара):
POST https://poisk.im/api_dev/search/{ "query": "Биполярный транзистор IGBT STGW80H65DFB 650V 120A TO-247" }
Подробная информация об использовании изображений товаров, указании источников и порядке обращения правообладателей размещена в разделе «Правообладателям».
Сравнение товаров
| Терка | |||||
| да | — | ST Microelectronics | — | ST Microelectronics | нет |
| Габариты без упаковки мм | |||||
| 20х60х130 | — | — | 20х60х130 | — | 130х70х30 |
| Вес нетто кг | |||||
| 0.097 | — | — | 0.085 | — | 0.095 |
| Количество заплаток в упаковке шт | |||||
| 5 | — | — | 48 | — | 48 |
| Вид заплаток | |||||
| круглые, прямоугольные | — | — | прямоугольные | — | прямоугольные |