Биполярный транзистор IGBT STGW80H65DFB 650V 120A TO-247
Источник изображений товара: Промэлектроника. Внешний вид товара может отличаться от изображённого
Биполярный транзистор IGBT STGW80H65DFB от ведущего производителя ST Microelectronics - надежное решение для высоковольтных и мощных электронных устройств. Этот транзистор обладает номинальным напряжением 650 В и максимальным током 120 А, что позволяет использовать его в силовых схемах, требующих высокой эффективности и стабильности. Благодаря технологи N-CH и герметичной упаковке в тубе, он дает хорошую тепловую рассеиваемость и удобство монтажа. Высокая рассеянаемая мощность 469 Вт и короткое время переключения (2. 1 мДж) делают этот транзистор отличным выбором для управляемых силовых цепей, инверторов, преобразователей и источников питания.
Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.
Высокая напряженность и токовая нагрузка, высокая рассеиваемая мощность, надежная упаковка и легко интегрируется в силовые цепи.
Может потребоваться теплоотвод для длительной эксплуатации при больших нагрузках, ограничение по импульсным характеристикам.
Сравнение товаров
| Бренд | ||||
| STG | — | ST Microelectronics | ST Microelectronics | — |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | ||||
| — | 600 В | 650 В | 600 В | — |
| Максимальный ток коллектора | ||||
| — | 80 А | 120 А | 60 А | — |
| Максимальная рассеиваемая мощность | ||||
| — | 250 Вт | 469 Вт | 258 Вт | — |
| Корпус | ||||
| — | TO-247 | TO-247 | TO-3P | — |